Revista Colombiana de Física, Vol 43, No 2 (2011)

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Propiedades Ópticas De Silicio Policristalino Depositado A Diferentes Potencias Por La Técnica PECVD

A. Dussan, A. D. Garzón, J. E. Malambo Martinez

Resumen


El presente trabajo recoge el estudio de propiedades las ópticas de películas delgadas de silicio policristalino (pc-Si), con el propósito de ser usadas como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron depositadas por la técnica PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) variando el parámetro del rango de la potencia entre 2 y 15 watts. Se realizaron medidas de transmitancia espectral en función de la longitud de onda con el fin de obtener información de las constantes ópticas: gap (Eg), índice de refracción (n), coeficiente de absorción (_) y el espesor (d) de las muestras. Estas constantes se obtuvieron a partir de la deconvolución de los espectros usando el método de Swanepoel. Se encontró un valor para el gap alrededor de 1.28 eV para todas las muestras y un espesor alrededor de 1 ìm. Se presentan valores de _ en función de la energía h_.

 

In this work, a series of polycrystalline silicon films (pc-Si) were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to potential applications in solar cells. The power range was varied between 2 and 15 watts. Optical properties were analyzed by transmittance measurements as a function of wavelength and using the model of Swanepoel the optical gap (Eg), absorption coefficient (_), refractive index (n) and thickness (d) of the samples, were obtained. We found a value for the gap around 1.28 eV for all samples and a thickness of about 1 ìm.


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ISSN: 0120-2650

 

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