Revista Colombiana de Física, Vol 44, No 1 (2012)

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Estudio de la densidad de estados de defecto (DOS) en el gap de materiales semiconductores

Anderson Dussan

Resumen


En este trabajo se obtuvo información de las propiedades ópticas, eléctricas y vibracionales a partir de numerosas técnicas de caracterización y análisis. Se realizó un especial esfuerzo en el análisis de la densidad de estados de defecto en el gap del mc-Si:H. Se resalta también la utilización de nuevos métodos para este material. Se estudió la densidad de estados (DOS) a partir del método de la fotocorriente constante (CPM) y el método de la foconductividad Modulada (MPC). Se encontró una correlación entre los niveles de dopaje en el material y la DOS enla región del subgap. Se evidenció una correspondencia con el coeficiente de absorción para la misma región.


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ISSN: 0120-2650

 

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